Caminos de alta difusividad

Abstracto

En los capítulos anteriores los únicos defectos que ayudaban a la difusión a través del cristal eran las vacantes y los intersticiales. Las dislocaciones, las superficies libres y los límites de grano entraban sólo para ayudar a alcanzar la concentración de defectos de equilibrio. Sin embargo, ahora está bien establecido que la frecuencia media de salto de los átomos en las dislocaciones, los límites o las superficies es mucho mayor que la del mismo átomo en la red. Por tanto, la difusividad es mayor en estas regiones. Esta mayor difusividad es interesante por varias razones. En primer lugar, está la cuestión de qué error introducen estos caminos en la medición del coeficiente de difusión de la red. Además, con experimentos adecuadamente diseñados es posible determinar los coeficientes de difusión en cada una de estas regiones de alta difusividad, lo que permite aprender más sobre la estructura de estos caminos y sobre cómo se mueven los átomos en ellos. Por último, hay un grupo de procesos cinéticos que están limitados por dicha difusión, por ejemplo la fluencia difusional, los cambios estructurales en las películas delgadas o la estabilidad de los catalizadores finos.