14 – Óxido de gálio

Óxido de gálio pertence ao grupo III dos óxidos e tem um ovo bandgap de cerca de 4,8 eV e concentração intermediária de portadores livres de ∼1014-15 × 1018 cm3 (ver Tabela 14.1). É o mais largo óxido semicondutor transparente de bandgap. O primeiro relatório sobre o óxido de gálio data de 1871, quando Dmitri Mendeleev previu teoricamente a existência de um novo elemento, eka-aluminum, e óxidos relacionados (Mendeleev, 1871). Em 1875 Lecoq de Boisbaudran isolou experimentalmente um novo elemento, ao qual deu o nome de gálio, e descreveu propriedades de seus compostos (De Boisbaudran, 1875). Durante muito tempo o óxido de gálio foi de interesse puramente acadêmico, pois o material não encontrou nenhuma aplicação técnica. Mas nos últimos anos, o foco da pesquisa começou a mudar de uma investigação básica de suas propriedades para o desenvolvimento de uma base tecnológica para várias aplicações práticas. Hoje é evidente que se trata de um material com um potencial considerável. O óxido de gálio tem sido investigado e testado como material para fosforos e dispositivos eletroluminescentes, para sensores químicos e catalisadores, para revestimentos condutores transparentes e, naturalmente, para eletrônica de alta tensão e potência. Estes últimos requerem uma qualidade e pureza de material muito superior, semelhante aos exigidos na indústria de semicondutores.