Percorsi ad alta diffusività

Abstract

Nei capitoli precedenti gli unici difetti che aiutavano la diffusione attraverso il cristallo erano i vuoti e gli interstiziali. Le dislocazioni, le superfici libere e i confini dei grani entravano solo per aiutare a raggiungere la concentrazione di difetti di equilibrio. Tuttavia, è ormai assodato che la frequenza media di salto degli atomi in dislocazioni, confini o superfici è molto più alta di quella dello stesso atomo nel reticolo. La diffusività è quindi più alta in queste regioni. Questa maggiore diffusività è interessante per diverse ragioni. In primo luogo, c’è la questione dell’errore che questi percorsi introducono nella misura del coefficiente di diffusione del reticolo. Inoltre, con esperimenti ben progettati è possibile determinare i coefficienti di diffusione in ciascuna di queste regioni ad alta diffusività, permettendo di imparare di più sulla struttura di questi percorsi e su come gli atomi si muovono in essi. Infine, c’è un gruppo di processi cinetici che sono limitati da tale diffusione, per esempio lo scorrimento diffusivo, i cambiamenti strutturali nei film sottili, o la stabilità dei catalizzatori sottili.