Chemins à haute diffusivité

Abstrait

Dans les chapitres précédents, les seuls défauts qui aidaient à la diffusion à travers le cristal étaient les lacunes et les interstitiels. Les dislocations, les surfaces libres et les joints de grains n’entraient que pour aider à atteindre la concentration de défauts à l’équilibre. Cependant, il est maintenant bien établi que la fréquence moyenne de saut des atomes aux dislocations, aux frontières ou aux surfaces est beaucoup plus élevée que celle du même atome dans le réseau. La diffusivité est donc plus élevée dans ces régions. Cette diffusivité plus élevée est intéressante pour plusieurs raisons. Tout d’abord, on peut se demander quelle erreur ces chemins introduisent dans la mesure du coefficient de diffusion du réseau. De plus, avec des expériences bien conçues, il est possible de déterminer les coefficients de diffusion dans chacune de ces régions à haute diffusivité, ce qui permet d’en savoir plus sur la structure de ces chemins et sur la façon dont les atomes s’y déplacent. Enfin, il existe un groupe de processus cinétiques qui sont limités par cette diffusion, par exemple le fluage diffusionnel, les changements structurels dans les films minces, ou la stabilité des catalyseurs fins.