14 – Óxido de galio

El óxido de galio pertenece a los óxidos del grupo III y tiene un bandgap Eg de unos 4,8 eV y una concentración de portadores libres intermedios de ∼1014-15 × 1018 cm3 (véase la tabla 14.1). Es el óxido semiconductor transparente de mayor banda prohibida. El primer informe sobre el óxido de galio se remonta a 1871, cuando Dimitri Mendeleev predijo teóricamente la existencia de un nuevo elemento, el eka-aluminio, y de óxidos relacionados (Mendeleev, 1871). En 1875, Lecoq de Boisbaudran aisló experimentalmente un nuevo elemento, al que llamó galio, y describió las propiedades de sus compuestos (De Boisbaudran, 1875). Durante mucho tiempo, el óxido de galio tuvo un interés puramente académico, ya que el material no tenía ninguna aplicación técnica. Sin embargo, en los últimos años la investigación ha comenzado a desplazarse desde la investigación básica de sus propiedades hacia el desarrollo de una base tecnológica para diversas aplicaciones prácticas. Hoy es evidente que se trata de un material con un potencial considerable. El óxido de galio se ha investigado y probado como material para fósforos y dispositivos electroluminiscentes, para sensores químicos y catalizadores, para revestimientos conductores transparentes y, por supuesto, para la electrónica de alto voltaje y de potencia. Esta última requiere una calidad y una pureza del material muy superiores, similares a las que se exigen en la industria de los semiconductores.