Veje med høj diffusivitet

Abstract

I de foregående kapitler var de eneste defekter, der bidrog til diffusion gennem krystallen, tomrum og interstitialer. Dislokationer, frie overflader og korngrænser kom kun ind for at hjælpe med at opnå ligevægtsdefektkoncentrationen. Det er imidlertid nu veletableret, at den gennemsnitlige springfrekvens for atomer ved dislokationer, grænser eller overflader er meget højere end for det samme atom i gitteret. Diffusionsevnen er derfor højere i disse områder. Denne højere diffusivitet er af interesse af flere grunde. For det første er der spørgsmålet om, hvilken fejl disse baner indfører i målingen af gitterdiffusionskoefficienten. Med korrekt tilrettelagte eksperimenter er det også muligt at bestemme diffusionskoefficienterne i hver af disse regioner med høj diffusivitet, så man kan få mere at vide om strukturen af disse baner og om, hvordan atomerne bevæger sig i dem. Endelig er der en gruppe af kinetiske processer, som begrænses af en sådan diffusion, f.eks. diffusionskrybning, strukturelle ændringer i tynde film eller stabiliteten af fine katalysatorer.